Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)
Schottkystraße 10
91058 Erlangen
http://www.iis-b.fhg.de/
Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
Tel.: +49 9131-761-100
Fax: +49 9131-761-102
Per Mail kontaktieren
Info
- Workstation-Netzwerk sstattungzur Prozeßsimulation
- CAD für Teststrukturentwicklung
- Implantationslabor mit 5 Ionenbeschleunigern von 5 keV bis 6 MeV
- Industrie-kompatible Halbleiterlabors mit 1 300 m² Reinraum
- Umfangreiche instrumentelle Analytik für Gase, Haltbleiter-Scheiben und Flüssigmedien
- Reinraumlabors für Geräte-Entwicklung und -Vorqualifizierung 150 mm bis 300 mm
- Umfangreiche Meßtechnik für den Bereich Leistungselektronik (Zth-Meßplatz, Burst/Surge-Tester, Netzoberwellen-Analysatoren, Leistungsmessung, Thermographie-Kamera)
- EDA-Tools
- Therm. Simulationsprogramme
Überblick
Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen
In der Energieforschung: Abteilungen: Leistungselektronische Systeme, Simulation und Technologie-Entwicklung
Arbeitsbereich: Leistungsbauelemente, Energiesparelektronik, Lleistungselektronische Schaltungen und Systeme, Solarzellen
Technologie
Institutsprofil Das Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen IIS, Bereich Bauelementetechnologie, hat die Aufgabe, gemeinsam mit der Industrie neue Halbleiter-Fertigungsgeräte und -verfahren zu entwickeln und Simulationswerkzeuge zur Beschreibung moderner mikroelektronischer Fertigungsschritte bereitzustellen. Als Kompetenzzentrum für Leistungselektronik entwickelt das IIS-B darüber hinaus leistungselektronische Bauelemente und Systeme - von Einzeldioden bis hin zu kompletten Prototypen für Schaltnetzteile, Frequenzumrichter u.v.a.m. Arbeitsgebiete Technologiesimulation Wir entwickeln leistungsfähige Simulationsprogramme zur kostengünstigen und zügigen Technologie- und Bauelemente-Entwicklung. Neben der Programmerstellung umfassen unsere Arbeiten umfangreiche experimentelle Untersuchungen zur Aufstellung von fortschrittlichen physikalischen Modellen für Prozeßschritte wie Ionenimplantation, Diffusion, Oxidation und Schichtabscheidung. Darüber hinaus bieten wir Unterstützung bei der Optimierung von technologischen Prozessen und Geräten durch die Durchführung von Prozeß-, Bauelemente- und Gerätesimulationen. Halbleiterfertigungsgeräte und -materialien Wir unterstützen Firmen bei der Entwicklung und Verbesserung neuer Fertigungsgeräte, Ma-terialien und der zugehörigen Prozesse. Zu unserem Tätigkeitsbereich gehören die Entwicklung von Geräten, Komponenten und Materialien, Optimierung von Fertigungsprozessen und Automatisierung, Kontaminationsuntersuchungen von Geräten und Materialien, Entwicklung von in situ/on-line-Meß- und Regelverfahren sowie Gerätevorqualifizierung. Technologieentwicklung Wir befassen uns mit der Entwicklung neuer Prozeßschritte und Verfahren für die VLSI- und ULSI-Technologie, der Qualifizierung von Gasen und Chemikalien anhand von Testprozessen und der Entwicklung von Bauelementestrukturen der Mikrosystemtechnik. Unsere Tätig-keiten umfassen u. a. Oberflächen- und Dünnschichttechnik, Prozesse für dünne dielektrische Schichten, Hochenergieionenimplantation, Kontaminations- und Spurenanalytik sowie Sensoren und Aktoren. Leistungselektronische Systeme Unser Arbeitsgebiet umfaßt die Schaltungs- und Systementwicklung für alle Felder der Leistungselektronik mit Schwerpunkten in den Bereichen Industrie- und Automobilelektronik. Wir unterstützen Firmen in der anwendungsorientierten Vorlaufforschung sowie bei der Entwicklung von Prototypen und Kleinserien. Unser besonderes Interesse gilt der mechatronischen Systemintegration, d.h. der Integration von Leistungselektronik, Mikroelektronik, Sensorik und Mechanik. Weitere Themenfelder sind die elektrische und thermische Systemsimulation und Systemoptimierung, innovative Lösungen zur Energie-Einsparung und Wirkungsgradoptimierung, leistungselektronische Meßtechnik, Bauteil-Charakterisierung und Modellbildung. Kristallzüchtung Die Abteilung Kristallzüchtung bietet basierend auf ihrem Know-How aus der Kristallzüchtung und den langjährigen Erfahrungen der Mitarbeiter im Anlagenbau, in der Meßtechnik und in der Computersimulation vielfältige Forschungs- und Entwicklungsleistungen an. Dazu zählt insbesondere die Entwicklung und Optimierung von Anlagen und Prozessen für die Züchtung von Kristallen für die Mikroelektronik und Mikrolithographie. Die Abteilung verfügt dazu über benutzerfreundliche Simulationsprogramme, welche die Berechnung des globalen Wärme- und Stofftransports in Hochtemperaturanlagen mit komplexer Geometrie erlauben. Diese Programme werden in enger Kooperation mit den industriellen Nutzern in Hinblick auf neue oder verbesserte physikalische Modelle, auf Benutzerfreundlichkeit und auf effizientere numerische Algorithmen weiterentwickelt. Es sind darüber hinaus umfangreiche experimentelle Erfahrungen im Bereich der Entwicklung und Anwendung von Meßtechniken zur Bestimmung des Wärme- und Stofftransports in Kristallzüchtungsanlagen vorhanden. Zusätzlich stehen durch die enge Zusammenarbeit mit dem Institut für Werkstoffwissenschaften, Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik, zahlreiche Verfahren zur elektrischen und optischen Charakterisierung von Kristallen zur Verfügung.